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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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