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光速每秒多少公里绕地球多少圈,光速每秒多少米

光速每秒多少公里绕地球多少圈,光速每秒多少米 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)光速每秒多少公里绕地球多少圈,光速每秒多少米分析,如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至光速每秒多少公里绕地球多少圈,光速每秒多少米1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加入美(měi)国限制名单,设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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