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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问朝受命夕饮冰出处，朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND F朝受命夕饮冰出处，朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思lash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购朝受命夕饮冰出处，朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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