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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审小荷才露尖尖角是什么意思小荷指的是什么，小荷才露尖尖角是什么意思污查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前小荷才露尖尖角是什么意思小荷指的是什么，小荷才露尖尖角是什么意思污(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备(小荷才露尖尖角是什么意思小荷指的是什么，小荷才露尖尖角是什么意思污bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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