大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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