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　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按表示第一的词语四字，古代表示第一的词语照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī表示第一的词语四字，古代表示第一的词语)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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