自4月下旬高(gāo)点(diǎn)回调接(jiē)近(jìn)13％，科创板再迎巨(jù)资抄底。

　　据Wind数据统计，截止(zhǐ)5月23日，最近一个月时间(jiān)，场(chǎng)内资金在科创板投资上采取“越(yuè)跌越(yuè)买”的操(cāo)作，主要跟踪科创(chuàng)板及其关联指(zhǐ)数的ETF产品(pǐn)合(hé)计“吸(xī)金”256.43亿元，其中，华夏科(kē)创50ETF“吸(xī)金”高(gāo)达169亿(yì)元，位(wèi)居全市场股票ETF资金(jīn)净流入榜首。

　　除(chú)了(le)科创板之外，半导体相关(guān)ETF也持续吸引场内资金(jīn)的目光。场(chǎng)内11只(zhǐ)跟踪半导体(tǐ)及(jí)芯片指数的ETF合计(jì)资金(jīn)净(jìng)流入超过202亿元(yuán)。3只半导体(tǐ)相(xiāng)关ETF更(gèng)是“霸榜”最近一(yī)个月全市场行业ETF资(zī)金净(jìng)流入(rù)榜单前三名。

　　在业内人士看来，场内(nèi)资(zī)金不断(duàn)借道ETF基金加速布局科创板(bǎn)、半导体板块(kuài)，体(tǐ)现出市场对上述板块投(tóu)资价值的认可。经过前(qián)期调整，这两大(dà)板块性价比也在逐渐提升(shēng)。

　　科创板ETF最近一个月“吸金”超256亿元

　　作为场内资(zī)金配置(zhì)的工具性产品(pǐn)，ETF市(shì)场一直有(yǒu)着逆势投(tóu)资的特征，最近一(yī)个月(yuè)，随着科创板的回(huí)调，相关ETF也成为(wèi)资(zī)金追(zhuī)逐(zhú)的(de)对(duì)象。

　　据Wind数据(jù)统(tǒng)计，截止5月(yuè)23日，最近一(yī)个(gè)月时间，主要跟踪(zōng)科创板及其关(guān)联指(zhǐ)数(shù)的ETF产(chǎn)品合计“吸金”256.43亿(yì)元，其(qí)中，华夏科(kē)创50ETF“吸(xī)金”更是高(gāo)达(dá)169亿元，位居全市场ETF资金净流入榜首，除此之外，易方达(dá)科创(chuàng)50ETF资金净流入也超过30亿元，嘉实科创芯(xīn)片ETF、工银瑞信科创ETF两只(zhǐ)基(jī)金资金(jīn)净(jìng)流入也均在10亿元(yuán)之(zhī)上。

　　今(jīn)年以来，场内资金持续流入科创板(bǎn)相关ETF，华夏科创(chuàng)50ETF规(guī)模从年初(chū)仅500亿元出头涨至(zhì)目前的606.24亿元(yuán)，规模(mó)位(wèi)居股票(piào)ETF第二名，仅次于华(huá)泰柏瑞沪(hù)深300ETF。

　　在易(yì)方(fāng)达基金看来(lái)，电(diàn)子、计算正、异、新，正异新的区分正、异、新，正异新的区分an>机等科创板的核心权重(zhòng)行(xíng)业持续获得资(zī)金青睐，一(yī)方(fāng)面源于一季(jì)度(dù)以ChatGPT为代表的(de)AI产(chǎn)业成为(wèi)市场关注焦点，另一方(fāng)面随(suí)着半导(dǎo)体下行周(zhōu)期拐点临近，业绩边际改善的预期吸引资金切换赛道(dào)。

　　从科创板(bǎn)的核心(xīn)板(bǎn)块(kuài)业绩变化来(lái)看，电子、计算机(jī)和通(tōng)信板块的2023年盈(yíng)利和收入预期增速保持在较高水平，相比过去明显改善，与(yǔ)此同(tóng)时(shí)新能(néng)源板(bǎn)块的增速依然稳健(jiàn)，凸显出科创板整体较高的(de)盈(yíng)利质(zhì)量。

　　易方达基金进(jìn)一步(bù)分析指(zhǐ)出，整体来(lái)看，科创50作为成长性宽(kuān)基，今年一季度(dù)的利润(rùn)增速相(xiāng)对较高，配置吸引(yǐn)力显现(xiàn)。从(cóng)未来的一(yī)致预期净利润增速来看，科(kē)创50相比其他宽(kuān)基指(zhǐ)数(shù)仍(réng)有优势(shì)，配(pèi)置性价比(bǐ)较高，反映出(chū)较好的基本面。

　　从估值水(shuǐ)平来(lái)看，科创(chuàng)50仍处于历(lì)史较低(dī)水平(píng)，同时盈利(lì)估(gū)值匹配度依然较优。截(jié)至2023年4月27日，科创50指(zhǐ)数估值(zhí)的PE（TTM）为44.10，处于过去三年估值分(fēn)位数(shù)32.97％。

　　国泰科创(chuàng)板(bǎn)基金经(jīng)理姜英也看好今年以来(lái)科创板走势(shì)。“从(cóng)板块整(zhěng)体估值(zhí)性价比(bǐ)以及(jí)对未来产业的反应程度，都是优于主(zhǔ)板。”

　　“ 2023 年，我们看(kàn)好科(kē)创(chuàng)板的表现，经(jīng)过了(le)三年的估值回归，很多公司的估值与成长匹(pǐ)配，买(mǎi)入并持(chí)有可以享受(shòu)行(xíng)业(yè)和公司的长(zhǎng)期(qī)成长。”华南一位(wèi)基金经(jīng)理更是(shì)直(zhí)言。

　　3只半导体ETF位居行业(yè)ETF资金(jīn)净流入前(qián)三名

　　最近一段时间，半导体行业风(fēng)声不断(duàn)。

　　5月23日(rì)，日本经济产业省公(gōng)布外汇(huì)法法令修正案，将先进芯片制造(zào)设备等23个品类追加列(liè)入出(chū)口管理(lǐ)的管制对象，上(shàng)述(shù)修(xiū)正(zhèng)案在经(jīng)过(guò)2个月的公(gōng)告期后，并将于7月开始(shǐ)实(shí)施。受益于国产替代加速(sù)的预(yù)期，半导体(tǐ)板块成为5月24日A股市场(chǎng)少数逆势飘红的板块之一。

　　而(ér)在ETF市场上，随着(zhe)前(qián)段时(shí)间半导体板块(kuài)回调(diào)，资金也在加速抄底这一(yī)板块。

　　Wind数据统计显示，场内(nèi)11只跟踪半导体或是芯片指数的ETF合(hé)计(jì)资金净(jìng)流入超过(guò)202亿元(yuán)。其中，国联安(ān)半导(dǎo)体(tǐ)ETF“吸金(jīn)”72.82亿元，华夏芯片ETF、国(guó)泰(tài)芯片ETF资金净流(liú)入也分别达到46.29亿元、43.28亿元。上述3只半(bàn)导体相(xiāng)关ETF更是“霸(bà)榜”最(zuì)近一个月行业ETF资金净流入前(qián)三(sān)名。

　　展望未来(lái)半导体行业走势，国(guó)泰基金认为，存储(chǔ)芯片(piàn)自2022年四季度至2023年一季(jì)度价(jià)格持(chí)续下探之后(hòu)，当前阶(ji正、异、新，正异新的区分ē)段或已接(jiē)近行业(yè)底部。

　　存储(chǔ)芯片行业(yè)周期相较(jiào)于其他(tā)半导体产业链环节，具备较(jiào)强的(de)大宗商品属性，国际(jì)龙头(tóu)会(huì)在下游新兴需求诞(dàn)生时，提升(shēng)自身(shēn)产能。而(ér)当扩产落地时，行业进入(rù)供过于求周期，各(gè)厂商则会(huì)通过(guò)降价(jià)进行(xíng)库存去化(huà)。供(gōng)给与需求(qiú)的错配使得存储行业具有较强的周(zhōu)期性。

　　国(guó)泰基金称，回顾(gù)历史上存储芯(xīn)片的周期走势，结(jié)合(hé)2022年四季度行业龙头营收数据，营收增速为-44％。存储芯片当前处于筑底阶(jiē)段，下半年(nián)有望迎来存储芯片行业周期的反弹机遇。

　　随(suí)着(zhe)下游GPT-4大模型为代表的人工智能新兴需求爆(bào)发(fā)，对于算力以及存储的爆发(fā)性需求(qiú)由产业链下游传导到上游，促进上游芯片厂商提升自身产量。叠加近两(liǎng)个(gè)季度量价持续(xù)下探的(de)周期性(xìng)磨底，芯片板块有望在今年下(xià)半年(nián)迎来(lái)反弹。

　　不过，国泰基金提醒，投资者(zhě)需(xū)要警(jǐng)惕国际局势(shì)以(yǐ)及通胀带来的(de)负面影响。

　　创金合信芯片(piàn)产业基(jī)金经(jīng)理刘(liú)扬则表示，硬科(kē)技的投资机会需(xū)要看到真正(zhèng)的业绩触底(dǐ)、拐点出现，以及(jí)一些真正的创新落地。预计(jì)半导体(tǐ)和消费电子大概率在二季度及二(èr)季度(dù)以后触底(dǐ)，当行业(yè)周期触(chù)底，科技创新(xīn)蓄能才能真(zhēn)正地释(shì)放(fàng)出(chū)来，下(xià)半年(nián)硬科技的投资机(jī)会更多(duō)。

　　鹏华(huá)国证(zhèng)半导体芯(xīn)片ETF基金经理罗英宇(yǔ)也(yě)倾向判断(duàn)，半导体产业(yè)链正(zhèng)处于供给侧收(shōu)缩匹配需求端，进一步压缩(suō)产业链库存(cún)的时期，价格下行压(yā)力逐步减轻，行(xíng)业有望迎(yíng)来库(kù)存加(jiā)速(sù)出清(qīng)，营(yíng)收和利润迎(yíng)来拐点。

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