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黄姓的来源和历史名人和现状,陆终到底是不是黄姓祖先

黄姓的来源和历史名人和现状,陆终到底是不是黄姓祖先 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日前(qián),网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

  审查发黄姓的来源和历史名人和现状,陆终到底是不是黄姓祖先现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

  此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì),或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(gu黄姓的来源和历史名人和现状,陆终到底是不是黄姓祖先ò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān),设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额(é)提(tí)升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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