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50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī),日前,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降,至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势(shì),公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商此(cǐ)前(qián)就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu),同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多美国(guó)限制名单,设(shè)备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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