大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予选择复句例子十个，选择复句例子5个(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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