大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安46oz爆米花多大万达影城 爆米花会吃胖吗(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行46oz爆米花多大万达影城 爆米花会吃胖吗业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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