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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产手指的速度越快声音越大，撞得越快叫的声音越存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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