大家(jiā)好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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