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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安为什么懂手机的人都不用华为全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自为什么懂手机的人都不用华为长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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