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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidig中国有几个党派，中国有几个党派组织m 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存中国有几个党派，中国有几个党派组织储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào中国有几个党派，中国有几个党派组织)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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