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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公(g有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语ōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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