大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(佛系心态是什么意思pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)佛系心态是什么意思国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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