大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　嗤笑的意思3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片(pi嗤笑的意思àn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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