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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Yn国v是不是国5，国v与国vl的区别m甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)国v是不是国5，国v与国vl的区别转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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