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38码鞋是多少厘米 38的鞋子买欧码是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患,对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通38码鞋是多少厘米 38的鞋子买欧码是多少过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。38码鞋是多少厘米 38的鞋子买欧码是多少按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查,目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全,是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán),防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额提升,以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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