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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市耳根全部小说的阅读顺序是什么，耳根小说阅读顺序关系场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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