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  大家好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息,日前,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn),对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险,维护国家(jiā)安全(quán),依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu),也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng),至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维的观摩和观看的区别和联系,观摩和观看的区别在哪结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù),看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄膜(mó)沉积(jī))等(děng)相关(guān)公司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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