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　　大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ人民币大写怎么写0到10，汉字大写怎么写0到10)经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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