大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bà太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位o)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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