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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。身临其境是什么意思的临，身临其境是什么意思呢原意是什么p>

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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