大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，两个土上下结构念什么加偏旁，两个土上下结构念什么语音看好拓荆(jīng)科技（薄(两个土上下结构念什么加偏旁，两个土上下结构念什么语音báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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