大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报五指毛桃土茯苓牛大力汤功效与作用，四种人不能吃牛大力显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Y五指毛桃土茯苓牛大力汤功效与作用，四种人不能吃牛大力nm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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