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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办离婚后男人会想孩子吗，离婚后男人会想孩子吗公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星离婚后男人会想孩子吗，离婚后男人会想孩子吗电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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