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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式)长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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