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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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