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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(j孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗īng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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