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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(ji故意不接电话说明什么，女人不接电话暗示什么àn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比3故意不接电话说明什么，女人不接电话暗示什么3.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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